本站 9 月 12 日消息，三星电子今日宣布，三星首款 1 太比特四层单元（qlc）第九代 v-nand 已正式开始量产，而 1tb tlc 产品已于今年 4 月开始量产。据介绍，三星 qlc 第九代 v-nand 实现了多项技术突破，本站汇总如下：通道孔蚀刻技术（channel hole etching），能够基于双堆栈架构实现当前业内最高的单元层数。三星运用在 tcl 第九代 v-nand 中积累的技术经验，优化了存储单元面积及外围电路，位密度比上一代 qlc v-nand 提升约 86%。预设模具（designed mold）技术，能够调整控制存储单元的字线（wl）间距，确保同一单元层内和单元层之间的存储单元的特性保持一致（v-nand 层数越多，存储单元特性越重要）；采用预设模具技术使得数据保存性能相比之前的版本提升约 20%，增强可靠性。预测程序（predictive program）技术，能够预测并控制存储单元的状态变化，尽可能减少不必要的操作，让三星 qlc 第九代 v-nand 的写入性能翻倍，i/o 速度提升 60%。低功耗设计（low-power design）技术，使数据读取功耗约分别下降了约 30% 和 50%。该技术降低了驱动 nand 存储单元所需的电压，能够仅感测必要的位线（bl），从而尽可能减少功耗。
