韩国科技巨头三星电子（samsung electronics）今日正式对外宣布，已率先在全球范围内启动第六代高带宽内存（hbm4）的量产工作，成为首家实现该技术规模化出货的企业。此举不仅标志着三星在人工智能加速器核心元件领域的研发取得关键性进展，也意味着其在经历2023年于hbm市场暂时落后于美光（micron）与sk海力士（sk hynix）之后，再度确立了行业技术领跑者的地位。
据三星介绍，全新HBM4芯片基于业界最前沿的1c DRAM（即第六代10纳米级制程）架构设计，并采用4纳米先进制程进行制造，在运算性能与能效比方面实现显著跃升。目前，该产品已达成稳定且具备商业可行性的良率水平，可充分支撑当前AI训练与推理场景对超高带宽、低延迟内存日益增长的需求。
就具体规格而言，三星HBM4单颗芯片的数据传输速率高达11.7Gbps，相较JEDEC标准定义的8Gbps提升约46%，亦比三星上一代增强型HBM3E高出22%。以单一封装堆叠为单位，其整体内存带宽可达3.3TB/s，成功突破客户预设的3TB/s门槛。现阶段，三星已向主要合作伙伴批量交付容量为24GB至36GB的HBM4模组，并计划在未来推出搭载16层堆叠结构、总容量达48GB的进阶版本。
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三星电子内存解决方案事业部开发副总裁黄尚俊（Hwang Sang-joon）指出，HBM4的成功量产打破了过往HBM产品多依赖成熟制程的技术路径，通过首次整合1c DRAM架构与4纳米晶圆代工工艺，为后续性能持续升级预留了充足空间，从而更敏捷地响应下游客户快速演进的AI算力需求。
面向中长期布局，三星已明确技术路线图：预计于2026年下半年推出强化版HBM4E芯片，并将于2027年进一步推出深度定制化的HBM系统级解决方案，以持续强化其在人工智能半导体供应链中的战略卡位与市场份额。
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