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业内最高容量,铠侠 2Tb QLC 闪存样品出货:位密度较第五代提高 2.3 倍

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发布时间:2024-07-03 16:40:14

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业内最高容量,铠侠 2tb qlc 闪存样品出货:位密度较第五代提高 2.3 倍

铠侠发布 2Tb QLC 存储样品
  1. 2Tb QLC 存储产品

采用第八代 BiCS FLASH 3D 闪存技术,拥有业内最高容量。

  1. 位密度和写入能效提升

与第五代 QLC 器件相比,位密度提高约 2.3 倍,写入能效提高约 70%。

  1. 紧凑封装

采用 16 片堆叠架构,尺寸为 11.5 x 13.5 毫米,高度为 1.5 毫米,总容量达到 4 TB。

Thiings
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  1. CBA 技术

使用 CBA(CMOS 直接绑定到阵列)技术,创建更高密度的设备,支持 3.6Gbps 接口速度。

  1. 产品线扩展

推出 1Tb QLC 存储器,专为性能敏感型应用设计,连续写入性能提高约 30%,读取延迟时间缩短约 15%。

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