从一面接触到四面环绕：一文看懂CPU晶体管的进化

12月5日消息，提到“晶体管”，相信多数人都有所耳闻——它本质上是一种微型电子开关，堪称现代计算机芯片运行的核心基础。

常规晶体管通常包含三个关键部分：

－ 栅极（gate）：类比为开关的操控手柄，通过施加电压来调控电流通断。

－ 沟道（channel）：即电流流经的路径。

－ 源极（source）与漏极（drain）：分别对应电流的输入端和输出端。

所谓晶体管架构，指的就是对栅极、沟道、源极及漏极等结构进行空间排布的设计方式，核心在于它们之间的几何关系。

再引入一个关键术语：MOSFET，全称为金属氧化物半导体场效应晶体管，是当前数字电路中最主流的晶体管类型。

在MOSFET中，栅极与沟道之间被一层氧化层（oxide layer）完全隔离。

一方面，该氧化层可有效阻断栅极与沟道间的直接导电通路，提升电流控制精度，抑制漏电流。

另一方面，当栅极施加电压后，借助电容耦合效应，其表面电荷会在氧化层下方感应出电场，从而“非接触式”地调控沟道中的载流子运动，实现开关功能。

早期氧化层主要采用二氧化硅材料。

2007年，Intel率先在45nm制程的商用芯片中引入高K介质材料，即HKMG（High-K Metal Gate）技术，大幅提升了栅极电容密度，显著缓解漏电问题，推动晶体管性能迈上新台阶。

其中，“K”代表介电常数，用以量化绝缘材料在电场中储存电能的能力。

除MOSFET外，业界还存在多种晶体管架构，例如BJT（双极型结型晶体管）、HEMT（高电子迁移率晶体管）、MESFET（金属半导体场效应晶体管）等。

MOSFET主导数字逻辑电路；而其他架构则更多服务于射频通信、功率管理、高速模拟信号处理等特定应用场景。

传统MOSFET普遍采用平面结构——所有元件均位于同一水平面，栅极仅覆盖沟道顶部。

这种布局会引发短沟道效应（SCE）：当沟道长度持续缩小，源极与漏极产生的电场开始显著干扰沟道区域，削弱栅极的主导控制力，导致阈值电压漂移、亚阈值摆幅恶化、关态漏电加剧等问题，最终影响器件稳定性与能效表现。

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随着工艺节点不断微缩，平面MOSFET已难以应对日益严峻的短沟道挑战。

2010年代初，Intel在22nm制程中首次实现FinFET晶体管的量产应用。

FinFET结构中，沟道呈垂直鳍状立起，栅极从三侧包裹沟道，形似鱼鳍，故得名“鳍式场效应晶体管”。

凭借更强的栅控能力，FinFET成功支撑芯片制程由20+nm一路推进至3nm，在性能提升与功耗控制方面展现出卓越优势。

然而，当工艺进一步迈向2nm节点时，FinFET在抑制短沟道效应和持续优化性能方面的潜力也趋于见顶。

为此，全球半导体产业正加速向控制能力更优的全环绕栅极（GAA，Gate-All-Around）架构演进，例如Intel 18A工艺首次启用的RibbonFET技术。

RibbonFET将沟道设计为水平堆叠的纳米带状结构，栅极从上下左右四个方向完整包覆沟道，极大增强了对电流的调控精度、稳定性和均匀性，对外部电压波动（如源/漏极扰动）具备更强抗干扰能力。

此外，增大沟道宽度有助于提升导通能力，从而驱动更大电流。

在FinFET中，拓宽沟道意味着需同步增高鳍片高度，易造成器件体积膨胀；而在RibbonFET中，由于沟道呈横向延展，可在不增加整体高度的前提下适度加宽，实现更高驱动能力与更紧凑尺寸的兼顾。

换言之，RibbonFET可在更小物理占位下达成同等甚至更优的电气性能。

从芯片设计角度看，这意味着标准单元高度降低、面积缩减，单位面积内可集成更多晶体管，从而全面提升芯片整体算力与能效表现。

值得一提的是，Intel 18A工艺还集成了PowerVia背部供电技术，并已进入量产阶段，首款搭载该技术的处理器Panther Lake即将正式发布！

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