11月4日，在韩国举行的SK AI峰会中，SK海力士披露了其未来存储技术的发展蓝图。作为全球三大存储原厂之一，SK海力士在行业内的技术导向作用不容小觑。
根据公布的信息，存储领域的下一个关键转折点预计将在2029至2031年间到来，尤其集中在2030年前后，届时多项核心技术标准将迎来全面革新。
在传统内存领域，DDR6与GDDR8的研发已悄然展开。其中，DDR6的进度更为领先，三大存储厂商均已完成了原型设计，并进入验证测试阶段。初步规格显示，其起始频率将高达8800MT/s，理论峰值甚至有望达到17600MT/s。
相较之下，GDDR8仍处于早期规划阶段，路线图上仅以“GDDR7-NEXT”代称，未来也可能命名为GDDR7X等形式。
值得一提的是，当前GDDR7显存尚未全面普及，目前仅有NVIDIA的RTX 50系列采用，AMD方面仍未跟进。
至于移动平台，LPDDR6标准已正式发布，后续演进版本LPDDR7虽已在规划之中，但本次并未明确列出具体时间节点。
在AI浪潮的驱动下，HBM（高带宽内存）成为发展重点。HBM4及HBM4E即将陆续登场，并将被广泛应用于NVIDIA和AMD的新一代加速卡中。更远期的HBM5与HBM5E也已纳入规划，目标在2030年前后实现落地。
在存储接口与闪存技术方面，PCIe 5.0持续演进，单盘容量有望突破245TB（采用QLC技术）。UFS 5.0标准刚刚定型，下一步将迈向PCIe 6.0时代。长远来看，PCIe 7.0、UFS 6.0以及超过400层的3D NAND堆叠技术都将逐步实现，为未来数据密集型应用提供坚实支撑。
