美国史上最大内存基地破土！美光纽约晶圆厂启动，未在美国设厂者或征100%关税
快科技1月20日讯，美光科技近日正式宣布：其坐落于美国纽约州奥农达加县克莱镇的超大规模DRAM内存晶圆厂集群，已于当地时间1月16日举行奠基仪式，全面进入建设阶段。
该项目总投资额高达1000亿美元，是纽约州迄今规模最大的单笔私人投资，将分阶段建设总计四座先进晶圆厂。全部建成后，不仅将成为全美体量最大、技术最前沿的半导体制造基地，更将直接与间接带动约5万个就业岗位落地当地。
美光强调，该基地将采用业界顶尖制程工艺，聚焦高带宽、低延迟DRAM芯片量产，核心服务对象涵盖人工智能大模型训练、超大规模数据中心及高性能计算（HPC）等战略领域，有力支撑美国在下一代算力基础设施中的自主可控能力。
作为美光总额约1500亿美元美国本土制造升级计划的关键一环，纽约项目已获得《芯片与科学法案》提供的61亿美元联邦资金支持，并与爱达荷州博伊西新厂、弗吉尼亚州马纳萨斯现有产线升级、HBM先进封装本土化等举措形成协同布局。
按规划，首座工厂预计于2030年实现量产，后续三座将按三年为周期陆续投产，至2045年全部建成。整个项目周期内，美光目标将美国本土DRAM产能占比提升至40%，显著增强国家半导体供应链韧性与安全水平。
值得注意的是，在1月16日的动工典礼上，美国商务部长霍华德·卢特尼克（Howard Lutnick）公开表态：“若存储芯片制造商拒绝在美国建厂并本地化生产，美方或将对其进口产品征收最高达100%的惩罚性关税。”
据Wccftech援引多方分析指出，该政策信号直指当前全球DRAM市场双巨头——韩国三星电子与SK海力士；与此同时，中国台湾地区内存厂商如南亚科技、华邦电子等亦可能被纳入后续审查与贸易风险评估范围。
