NVMe驱动器在SLC缓存耗尽后写入速度会骤降至数十到两百MB/s，具体取决于NAND类型、容量和主控方案，QLC型号甚至可能低于机械硬盘速度。
NVMe驱动器在SLC缓存耗尽后，性能会经历显著的下降，通常写入速度会从数百甚至数千MB/s骤降至数十到两百MB/s的水平，具体取决于驱动器采用的NAND类型（TLC或QLC）、容量大小以及主控方案，某些情况下甚至可能低于传统机械硬盘的写入速度。
解决方案
当我们在讨论NVMe驱动器性能下降时，往往绕不开一个核心概念：SLC缓存。这东西在SSD的世界里，是个双刃剑。它能让你的SSD在日常使用中飞快，但一旦它用完了，那种速度上的“断崖式下跌”就可能让你措手不及。
SLC缓存，顾名思义，是利用TLC（三层单元）或QLC（四层单元）NAND闪存的一部分，模拟成SLC（单层单元）模式来存储数据。SLC模式每个单元只存储1比特数据，写入速度最快，寿命也相对高。但TLC和QLC为了提高存储密度、降低成本，每个单元分别存储3比特和4比特数据，这导致它们的原始写入速度和擦写寿命都远不如SLC。为了弥补这个差距，厂商们想了个“妙招”：划出一部分TLC/QLC空间，让它暂时以SLC模式运行，作为高速缓存。
这样一来，小文件写入或者突发性写入操作，数据会先被写入这块“假SLC”区域，速度自然是飞快。然而，当写入的数据量超过了这块缓存的容量时，或者当SSD处于空闲状态，需要将缓存中的数据“搬运”回原生TLC/QLC区域时，真正的挑战就来了。此时，SSD的写入速度会直接回到其原生TLC/QLC的速度，那感觉，就像一辆跑车突然被限速到自行车道上。
为什么NVMe驱动器需要SLC缓存？
坦白说，这完全是成本与性能之间权衡的产物。在我看来，如果能用上全SLC的SSD，谁不想呢？但那价格，普通消费者恐怕难以承受。所以，TLC和QLC NAND应运而生，它们以牺牲部分性能和寿命为代价，换来了更高的存储密度和更低的成本，让SSD得以普及。
SLC缓存就是为了“掩盖”TLC和QLC原生写入速度慢的缺点。你想想，日常操作中，我们大部分的文件写入都是零散的、小块的，比如安装软件、保存文档、下载图片等等。这些操作的数据量往往不会瞬间撑爆SLC缓存。有了这层缓存，SSD就能在这些场景下表现得像个“性能怪兽”，给你极速响应的体验。这有点像给一个长跑运动员在短跑赛道上穿上了弹簧鞋，短时间内冲刺是没问题的。
但这种模式并非没有代价。首先，一部分存储空间被用于缓存，实际可用容量可能会略微减少。其次，更重要的是，当缓存被填满后，性能会显著下降。这是因为数据不得不直接写入速度更慢的原生TLC/QLC区域，而且控制器还需要额外处理缓存数据的“回收”和“搬运”工作，这无疑增加了负担。所以，SLC缓存是现代消费级SSD的“加速器”，也是其性能瓶颈的潜在来源。
SLC缓存耗尽后，实际性能会如何表现？
在我个人的使用经验中，SLC缓存耗尽后的性能表现，可以用“断崖式下跌”来形容。这不仅仅是速度的问题，更关乎体验。
具体来说，当SLC缓存被填满后，NVMe驱动器的写入速度会从通常的数百甚至数千MB/s（例如，PCIe Gen4驱动器在缓存内可以达到5000-7000MB/s，Gen3驱动器也能达到2000-3500MB/s），骤降到其底层TLC或QLC NAND的实际写入速度。
对于采用TLC NAND的驱动器，这个速度通常会在100-250MB/s之间浮动，具体取决于NAND颗粒的品质和主控算法。而对于更廉价的QLC NAND驱动器，这个速度可能会更低，甚至跌破50MB/s，有时甚至低于机械硬盘的平均写入速度。
这种性能下降在什么场景下最明显呢？
- 大文件传输： 比如你复制一个几十GB的视频文件，或者安装一个上百GB的游戏。一开始速度飞快，可能达到每秒几GB，但过了几秒或几十秒，你会发现传输速度突然掉到了几百MB/s，甚至几十MB/s，然后就一直保持在这个低速。
- 持续性写入任务： 例如，进行视频渲染、大型数据库操作的日志写入，或者进行长时间的系统备份。这些任务需要长时间、大容量的写入，SLC缓存很快就会被耗尽，驱动器就会长时间处于低速运行状态。
- 高负载下的碎片整理（如果还有人做的话）或系统更新： 虽然现在系统很少需要手动碎片整理SSD，但一些后台的维护任务或者大型Windows更新，其写入量也可能触及缓存上限。
这种现象不仅影响效率，更会影响用户的心情。那种从极速到龟速的落差感，会让人觉得“我的SSD是不是坏了？”实际上，这只是它的“真面目”暴露出来了。所以，了解这一点，对于选择和使用NVMe驱动器至关重要。
如何判断NVMe驱动器的SLC缓存是否耗尽或即将耗尽？
要直接判断NVMe驱动器的SLC缓存是否耗尽，对普通用户来说，其实并没有一个直观的“指示灯”或者软件能直接告诉你“缓存已满”。但我们可以通过一些现象和工具来间接判断或推测。
最直接的“症状”就是写入速度的急剧下降。
- 大文件传输测试： 找一个足够大的文件（比如一个几十GB的电影文件），从一个高速源（比如另一个高速SSD或内存盘）复制到你的目标NVMe驱动器上。如果你观察到传输速度在开始时很高，但在复制了几个GB之后，速度突然从几百MB/s甚至几GB/s，骤降到几十或一百多MB/s，并且长时间保持这个低速，那么很大概率就是SLC缓存耗尽了。
- 持续写入测试工具： 像HD Tune Pro这样的工具，虽然它的写入测试不一定能完美模拟真实世界的SLC缓存行为，但如果你设置一个足够大的测试文件大小（比如超过100GB），或者多次重复进行写入测试，观察其写入速度曲线，可能会看到在某个点之后速度明显下降。不过，要记住，这类测试工具本身也可能对驱动器造成一定的写入压力，不宜频繁使用。
- 观察驱动器使用率： 在任务管理器或资源监视器中，如果你的NVMe驱动器在进行大文件写入时，磁盘使用率长时间保持在100%，但写入速度却很低，这也可能是缓存耗尽的一个信号。
了解驱动器规格和评测： 这是最靠谱的方法之一。在你购买NVMe驱动器之前，查阅专业的硬件评测网站。这些评测通常会详细测试驱动器的SLC缓存大小、缓存耗尽后的持续写入速度，并提供曲线图。通过这些数据，你可以对你的驱动器的“脾气”有个大致了解。例如，有些驱动器在空盘状态下有较大的动态SLC缓存，但在盘快满时，缓存容量会大幅缩水。
保持足够的空闲空间： 虽然这不是直接判断缓存耗尽，但很多NVMe驱动器会根据剩余空间动态调整SLC缓存的大小。如果你的驱动器接近满载，那么可用作SLC缓存的空间也会相应减少，更容易触发性能下降。所以，保持一定的空闲空间，有助于维持较好的缓存性能。
总而言之，判断SLC缓存耗尽更多是基于观察和经验。如果你经常进行大文件操作，并且发现写入速度有明显的“先快后慢”现象，那么你很可能就遇到了SLC缓存耗尽的情况。
应对SLC缓存耗尽的策略与建议
既然SLC缓存耗尽是消费级NVMe SSD的固有特性，那么作为用户，我们能做些什么来缓解其影响，或者至少在选购时做出更明智的决策呢？
1. 明确你的使用场景和需求：
这是最关键的一点。如果你只是日常办公、浏览网页、玩玩小游戏，偶尔传输一些几GB的文件，那么SLC缓存耗尽对你的影响几乎可以忽略不计。因为你的写入量通常不会大到能长时间填满缓存。但如果你是视频剪辑师、大型游戏玩家（需要安装大量游戏）、程序员（编译大型项目）、或者经常进行大数据传输，那么SLC缓存耗尽就会成为一个实实在在的痛点。
2. 选购时关注驱动器的“真”性能：
不要只看峰值速度。在选购NVMe驱动器时，除了关注顺序读写速度、随机读写速度这些宣传数据，更要深入了解其SLC缓存大小以及缓存耗尽后的持续写入速度。专业的评测文章通常会提供这些数据。
- DRAM缓存： 优先选择带有独立DRAM缓存的NVMe SSD。DRAM缓存主要用于存储FTL（闪存转换层）映射表，这能大幅提升SSD的随机读写性能，减轻主控的负担，间接也能更好地管理SLC缓存。无DRAM缓存（DRAM-less）的SSD虽然便宜，但在高负载下表现会差很多。
- NAND类型： 如果预算允许，TLC NAND通常比QLC NAND在缓存耗尽后有更好的持续写入性能和更高的耐用性。
- 容量选择： 通常来说，容量越大的NVMe SSD，其SLC缓存的容量也越大，耗尽的门槛更高，且缓存耗尽后的持续写入速度也可能更好（因为有更多的NAND颗粒可以并行写入）。
3. 保持足够的空闲空间：
这一点可能被很多人忽视。许多NVMe SSD采用“动态SLC缓存”策略，即根据驱动器剩余空间的大小来动态调整SLC缓存的容量。当驱动器剩余空间不足时，可用作SLC缓存的TLC/QLC空间也会相应减少，导致缓存更容易耗尽，或者缓存耗尽后的性能更差。一个经验法则是，尽量保持驱动器至少有15%-20%的空闲空间。
4. 优化写入习惯（针对特定场景）：
如果你确实需要进行大量持续写入，可以考虑将这些写入任务分散到不同的时间段，给SSD一些“喘息”的机会，让它有时间将SLC缓存中的数据搬运到原生NAND区域。但这更多是一种权宜之计，治标不治本。
5. 考虑更专业的解决方案（如果需求极高）：
对于企业级用户或对性能有极致要求的个人，可以考虑企业级NVMe SSD。这些驱动器通常采用更高品质的NAND（如MLC或更高级别的TLC），拥有更大、更稳定的SLC缓存，甚至根本不需要SLC缓存就能提供极高的持续写入性能，但价格也相应高昂。
总之，SLC缓存是消费级NVMe SSD性能提升的关键，也是其潜在的性能瓶颈。理解它的工作原理，并根据自己的需求做出明智的选择和使用，才能真正发挥NVMe驱动器的优势。
