9月14日，SK海力士正式宣布，已率先完成全球首款新一代HBM4内存的研发工作，并全面进入可大规模量产的阶段。
此次推出的HBM4内存具备2048-bit的I/O接口位宽，单针脚带宽达到10Gbps，使得单颗芯片的数据传输速率最高可达2.5TB/s，性能表现极为亮眼。
值得一提的是，这一数值已超越JEDEC标准所定义的8Gbps门槛。SK海力士表示，该内存部署于AI系统中后，有望实现最高达69%的性能飞跃。
在制造工艺方面，SK海力士采用了自研的MR-MUF封装技术，并基于其第五代10nm级工艺——即1bnm技术节点打造，进一步提升了能效与集成度。
目前，SK海力士尚未公布HBM4的具体堆叠层数与单颗容量信息，但业界预测其堆叠高度或可达最高12层。
与此同时，三星也在加速推进自家HBM4产品的研发进程，意图在这一关键领域与SK海力士展开激烈竞争。
作为下一代AI基础设施的核心组件，HBM4内存已成为各大科技巨头的必争之地。包括NVIDIA、AMD和Intel在内的厂商均高度依赖此项技术。
据悉，NVIDIA下一代Rubin架构GPU将配备高达288GB的HBM4显存，而AMD的Instinct MI400系列更计划支持最高432GB HBM4内存，峰值带宽可达19.6TB/s，展现出惊人的数据吞吐能力。
