8 月 25 日消息，sk 海力士宣布其全新 321 层 2tb qlc nand 闪存产品已成功完成研发，并正式进入量产阶段。此举实现了全球首次突破 300 层的 qlc nand 技术应用，刷新了nand 存储密度的行业纪录。公司预计在完成全球客户的验证流程后，将于明年上半年正式推出该产品。
为了增强新产品的市场竞争力，SK 海力士推出了单颗容量达 2Tb 的存储芯片，较当前主流方案容量翻倍。针对大容量 NAND 可能带来的性能瓶颈，该公司将芯片内部的平面（plane）结构由传统的 4 个升级至 6 个。由于平面是芯片中可独立运行的数据处理单元，这一改进大幅提升了并行操作能力，有效增强了读写速度与整体性能表现。
得益于上述技术升级，这款 321 层 QLC NAND 在多项关键指标上实现跃升：相比前代 QLC 产品，数据传输速率实现翻倍，写入性能最高提升达 56%，读取性能提升 18%。同时，写入过程中的功耗效率也优化了 23% 以上，使其在对能效极为敏感的 AI 数据中心应用场景中具备更强的竞争力。
据悉，SK 海力士将率先把该新型 NAND 产品应用于 PC 端固态硬盘，后续逐步扩展至企业级数据中心固态硬盘（eSSD）以及智能手机所采用的 UFS 存储解决方案。依托其独有的 32 层堆叠封装技术（32DP），可在单一封装内集成 32 颗 NAND 芯片，从而实现两倍于常规水平的集成密度。这一优势有望助力公司切入超高容量 eSSD 市场，为 AI 服务器提供高效、高密度的存储支持。
“随着量产启动，我们在高容量产品布局上取得了显著进展，并进一步巩固了成本优势。”SK 海力士 NAND 开发负责人 Jeong Woopyo 表示，“面对数据中心市场因 AI 需求激增而带来的高性能挑战，我们将以全栈 AI 存储解决方案提供商的身份，实现跨越式发展。”
