铠侠（原东芝存储）与闪迪（原西部数据闪存部门）联合宣布，其第九代BiCS 9闪存已启动客户送样阶段。
作为介于当前第八代BiCS 8与即将推出的第十代BiCS 10之间的产品，BiCS 9并不以追求极致堆叠层数为目标，而是聚焦于成本效益、性能与功耗之间的平衡。该技术采用成熟的工艺路线，堆叠层数达到332层，主要面向企业级存储及AI相关应用场景。
未来，BiCS 9与BiCS 10将并行发展，二者并非替代关系，而是针对不同市场需求进行差异化布局。
BiCS 9采用了混合架构设计，先分别制造CMOS控制电路晶圆和NAND闪存阵列晶圆，再通过晶圆键合技术整合为单一高性能封装，这一工艺方式与长江存储的技术路径相似。
在技术基础上，BiCS 9继承并优化了第五代BiCS 5（112层）和第八代BiCS 8（218层）的设计，同时引入了更先进的I/O接口，支持最新的Toggle DDR 6.0标准，实现最高3600MT/s的数据传输速率，在特定测试条件下峰值速率可达4800MT/s。
相较于前代512GB TLC闪存产品，BiCS 9实现了全方位升级：写入性能最高提升61%，能效改善达36%；读取性能提升最高12%，读取能效优化达27%；同时存储密度也提升了8%。
