导读
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重写后的文字内容：
1. 研究背景
铁电材料在集成电路中扮演着关键角色，它们可切换的极化特性使其成为非易失性存储器的理想选择。传统铁电材料的复杂晶体结构阻碍了它们的商业化进程。目前，仅有掺杂氧化铪 (HfO2) 和铝钪氮化物 (Al1-xScxN) 两种铁电材料与互补金属氧化物半导体 (CMOS) 后端线工艺兼容。
2. 主要内容
济南大学的杨锋副教授深入探讨了纤锌矿铁电薄膜物理领域的最新进展，重点关注典型纤锌矿铁电材料 Al1-xScxN 的铁电性和相稳定性。他分析了纤锌矿结构铁电性的基础理论，研究了调控自发极化和矫顽场的机制。此外，杨教授还概述了 Al1-xScxN 铁电器件领域的最新成果，并展望了该材料的未来发展方向。
图 1. 纤锌矿铁电薄膜电子学
本综述重点介绍了具有独特特性和创新意义的纤锌矿型铁电材料 Al₁₋ₓScₓN。该材料因其高极化、可调矫顽场、优异的热稳定性和与 CMOS/III-N 技术的良好兼容性而备受关注。
该综述分为四个主要部分，分别探讨相稳定性、铁电性、基础理论和实际应用。内容涵盖了 Sc 浓度对 Al₁₋ₓScₓN 薄膜的影响、化学键特性、离子配位竞争、开关势垒、应变效应、温度效应、频率依赖性和尺寸效应等方面。综述深入浅出地阐述了纤锌矿铁电材料的宏观和微观基础理论以及开关动力学机制。
文章全面深入地讨论了 Al₁₋ₓScₓN 的铁电性、相位稳定性的起源及其控制机制，同时探讨了高工作电压和漏电流等实际挑战。此外，还概述了该材料的未来发展方向，并强调了其在高端应用领域的巨大潜力。
