本站 8 月 16 日消息,首尔经济日报昨日(8 月 15 日)报道,三星将于 2024 年第 4 季度至 2025 年第 1 季度期间,安装首台来自 asml 的 high-na euv 光刻机,并预估 2025 年年中投入使用。

三星计划围绕高 High-NA EUV 技术开发一个强大的生态系统:除了收购高 NA EUV 光刻设备外,三星还与日本 Lasertec 公司合作开发专门用于 High-NA 光掩膜的检测设备。
本站援引 DigiTimes 报道,三星已经购买了 Lasertec 的 High-NA EUV 掩膜检测工具 Actis A300。

- 报道还称三星还与光刻胶制造商 JSR 和蚀刻机制造商东京电子公司合作,准备在 2027 年之前将高纳 EUV 工具投入商业应用。
- 三星还与新思科技(Synopsys)合作,在光掩膜上从传统的电路设计转向曲线图案。这一转变有望提高电路压印在晶片上的精度,这对进一步完善工艺技术至关重要。










