此前,业内传出消息,苹果已初步确认将采用英特尔18a-p工艺用于入门级m系列芯片的制造。
近日,多家科技媒体进一步披露,联发科亦将携手英特尔,其天玑系列SoC将由英特尔代工,并导入其最新一代14A制程工艺。
此举标志着英特尔与联发科首次建立正式合作关系,具有里程碑意义。
但需指出的是,将英特尔14A工艺落地于智能手机SoC并非简单移植,技术门槛极高。
关键在于,英特尔在18A与14A节点全面启用背面供电架构(PowerVia),虽可释放前端布线资源、提升晶体管密度与能效比,却同步加剧了局部热密度与自发热效应(Self-Heating Effect)。
受限于智能手机极度紧凑的内部堆叠空间及有限散热能力,该热挑战对芯片长期高负载稳定性构成严峻考验,或需联合优化封装设计、系统级功耗调度及终端侧强化散热方案(如VC均热板、局部液冷等)方能妥善应对。












