今日，博主@智慧芯片案内人透露，当前智能手机存储模块正经历罕见的成本倒挂现象：原本定位中端的12gb+256gb配置（搭载lpddr5x内存与ufs4.0闪存），其bom成本已悄然反超2025年一季度旗舰机型标配的16gb+1tb组合；更值得注意的是，行业预判该12gb+256gb方案将在2026年一季度成为高端手机中最贵的核心元器件之一。
这一变化折射出存储芯片在整机物料清单中的权重持续走高——占比已由以往的10%-20%大幅攀升至20%-30%，部分顶级旗舰机型甚至突破35%警戒线，显著加剧终端厂商的成本承压能力。
市场走势进一步凸显这场「存储危机」的严峻性：过去半年间，DRAM颗粒价格出现非典型暴涨，部分型号涨幅达十倍级；以16GB内存模组为例，市价从约200元飙升至逼近600元，累计涨幅逾200%；
NAND闪存市场亦同步承压。三星电子宣布将于2026年一季度对相关产品提价超100%，其余主流厂商跟进幅度普遍落在50%-80%区间；某头部供应商的1TB NAND芯片交期已拉长至20周以上，供应链吃紧程度一览无遗。
根本动因在于AI基础设施建设的井喷式扩张，全球存储产能正被AI服务器大规模“虹吸”。
数据显示，单台AI服务器对DRAM的需求量约为传统服务器的8倍，对NAND闪存的需求则达3倍之多。
三星、SK海力士等头部存储大厂已将约70%的产线资源转向高附加值HBM芯片制造，直接造成面向消费电子市场的常规存储芯片供给大幅收缩。
产能结构的深度调整进一步放大供需矛盾：三星正计划逐步关停DDR4等成熟制程产线；而美光位于纽约的新建工厂预计要到2030年才能实现量产，产能释放周期漫长且不可逆。
在此背景下，“AI抢存储”的格局正推动消费级存储芯片步入成本与售价双峰并立的新阶段。
