12月26日最新消息显示，存储芯片近三个月价格大幅飙升，其中dram内存表现尤为突出，现货价格已暴涨200%至300%，直接带动上游厂商盈利水平跃升。
以8Gb DDR4颗粒为例，其在四季度的合约价上涨42.9%，而现货价格更激增197%；展望2026年一季度，业内预计合约价将继续攀升约50%，有望触及13.5美元/颗，与当前现货价差距显著收窄。
值得注意的是，此类强势涨价已推动部分厂商毛利率突破50%大关——这一水平已接近南亚科、华邦电等二线厂商的历史高点，甚至逼近高端HBM内存约60%的利润率区间。
受此驱动，三星已调整产能策略，暂缓DDR4内存的停产计划，并持续维持供货。但据产业链透露，在当前供不应求格局下，三星提出的供货条款极为严苛，强制要求客户签署NCNR协议（Non-Cancellable、Non-Returnable）以锁定自身利润最大化。
NCNR即“不可取消、不可退货”，意味着采购方一旦签约，无论后续市场价格如何波动，均须按原定价格履约提货——即便未来价格回落，也无权解约或退换。
鉴于业内普遍预期本轮涨价周期将持续至2026年甚至延续至2027年，下游厂商虽心有不甘，却也只能被动接受此类条款。毕竟在“有货才能生存”的现实压力下，缺货带来的经营停滞远比短期成本上升更为致命。
尽管上游存储厂商正迎来利润峰值，但风险亦同步积聚：内存价格持续走高已开始抑制终端需求，预计2026年全球PC及智能手机出货量将下滑5%—10%，消费者正转向延迟换机、缩减配置或选择低配机型。
此外，将AI算力扩张作为涨价唯一依据亦存争议。“AI泡沫论”仍在发酵，若2026年AI产业落地节奏不及预期或资本热度降温，存储市场或将面临情绪反转与供需再平衡，此时断言价格单边上涨持续两三年，显然为时尚早。
