12月25日最新消息，intel近期正式推出18a制程工艺，该节点被视作其“四年五制程”战略中承上启下的核心环节——尤其在20a工艺已宣布取消的背景下，18a的重要性进一步凸显。
若沿用传统等效纳米命名逻辑，18A大致对应1.8nm级别，理论晶体管密度有望超越台积电当前量产的2nm工艺。尽管后者公开的实测数据仍较有限，即便18A在密度指标上未能全面领先2nm，但相较3nm工艺整体表现更优基本已成共识。
该工艺集成两大突破性技术：其一是RibbonFET结构晶体管，即Intel自研的GAA（全环绕栅极）晶体管方案；其二是PowerVia背面供电技术，通过将供电线路转移至晶圆背面，有效缓解正面金属布线拥堵与IR压降问题。二者协同可显著降低功耗并增强性能表现。
18A工艺主要依托Intel位于美国亚利桑那州的Fab 52晶圆厂进行制造。据透露，该厂目前已部署至少4台EUV光刻设备，其中包括1台最新型号NXE:3800E（单机每小时可处理220片晶圆），其余3台为NXE:3600D型号（单机每小时产能160片晶圆）。
当Fab 52全面达产时，周产能可达1万片晶圆，折合月产能约4万片，规模相当于台积电在美国建设的Fab 21工厂一期与二期产能之和。
Intel计划在亚利桑那园区最终配置不少于15台EUV光刻机，其中还将纳入下一代High NA EUV设备，但各类机型的具体配比尚未公布。
首批基于18A工艺打造的产品包括面向PC平台的Panter Lake处理器及服务器端的Clearwater Forest平台，预计将于明年大规模上市。不过当前仍处于产能爬坡初期，良率仍是制约出货节奏与成本控制的关键变量。
Intel此前表示，已确认符合行业基准的良率提升路径，当前维持每月约7%的稳定增长速率。但要实现目标良率水平，时间点或需延至2027年初。
这也预示着在CES展会上亮相的Panter Lake笔记本产品定价难以下探，极有可能延续Lunar Lake的高端定位策略。Intel早前在接受采访时亦曾暗示，或将主动收缩部分入门级市场布局。
