快科技12月22日消息，据最新行业动态，韩国两大存储芯片领军企业三星电子与sk海力士正加速推进内存产能扩张，全力响应人工智能领域爆发式增长的存储需求。
报道指出，三星电子近期不仅全面提高了其在韩国本土的DRAM及NAND闪存产线运行负荷率，更将资源显著向高带宽内存（HBM）等前沿高端产品倾斜，大幅提升相关产线投片量与良率爬坡节奏。
此外，三星已于11月正式重启平泽第五工厂（P5）建设工作，该项目计划于2028年投入量产，旨在构建面向下一代AI服务器与高性能计算平台的先进存储芯片供应体系。
与此同时，SK海力士位于清州的M15X全新晶圆厂已进入最后调试阶段，预计将于近期启动试产，该厂将专精于高性能DRAM及专为AI训练与推理优化的定制化存储解决方案。
值得关注的是，SK海力士还正加速推进龙仁半导体园区内首座自有晶圆制造基地的建设进度，力争提前至2027年之前竣工投产——该基地规划总规模相当于六座M15X工厂的产能总和，将成为其未来十年AI存储战略的核心支点。
随着大模型迭代、算力基建扩张及边缘AI终端普及持续提速，AI驱动的存储需求被普遍视为中长期结构性增长主线。在此背景下，产能布局效率已成为决定厂商市场话语权的关键变量。Omdia最新研报预测，全球DRAM市场规模有望在2026年前跃升至1700亿美元，较2024年的1000亿美元实现70%增幅。
