12月18日最新消息，尽管在euv光刻机领域已退出主流竞争，日本仍稳居全球第二大光刻设备供应国地位。近年来，多家日本企业持续加码研发可绕过euv的新型光刻技术，其中nil（纳米压印光刻）成为重点攻关方向。
此前，佳能、尼康等日企已陆续公开展示相关NIL技术成果；如今，日本DNP公司（大日本印刷株式会社）正式宣布成功开发出分辨率达10nm的NIL纳米压印工艺，能够将精细电路图形直接转印至晶圆基板上，该技术具备支持1.4nm制程逻辑芯片曝光的能力。
从技术实现来看，DNP的10nm NIL方案融合了SADP（自对准双重成像）工艺，通过“一次曝光+两次图形化”流程，实现等效精度翻倍的效果，完全适配先进节点逻辑芯片的制造需求。尤为突出的是其能效表现——DNP表示，该技术整机功耗仅为当前主流EUV光刻工艺的约十分之一。
DNP深耕NIL技术已逾二十年，目前该方案已在关键性能指标上达到可部分替代EUV光刻的水平，为晶圆厂提供了一条高精度、低能耗的差异化先进制程路径。现阶段，公司正与多家半导体设备及代工合作伙伴联合推进技术可行性评估与适配测试。
据DNP透露，待完成客户端全面验证，并建成稳定量产及供应链体系后，计划于2027年正式启动规模化出货。
