据韩国产业媒体THE ELEC报道，三星电子在最近的财报电话会议中透露，其专为人工智能加速器设计的高带宽内存（HBM）产能已被客户预订至明年，市场需求远超公司初期规划。面对持续攀升的订单压力，三星正积极评估并推进扩产措施，以提升HBM供应能力。
在第三季度财报中，三星已指出半导体业务实现明显复苏，并宣布将加大对高端存储产品线的投资力度，以应对AI基础设施带来的强劲需求。管理层坦言，即使考虑现有扩产方案，客户对HBM的预购量仍可能超出实际可供给产能。此外，三星正与Nvidia紧密沟通下一代HBM4芯片的供货事宜，目前已向关键客户提供样品用于测试验证，目标是在2025年实现HBM4产品的量产导入。
随着人工智能技术快速发展，以Nvidia为代表的AI芯片巨头大幅拉高HBM采购规模，导致此类高端存储产能迅速被锁定，形成阶段性供应紧张。这一供需失衡现象已显著影响产业链价格体系：由于厂商纷纷将晶圆产能、封装测试资源倾斜至利润更高的HBM和服务器级DRAM，主流DDR5及通用型DRAM的可用供给相应缩减，推动整体内存市场价格持续上涨。业内预计，这种结构性紧缺态势将持续至2026年上半年，促使各大存储制造商加速调整产能布局。
除三星外，SK hynix同样面临HBM及相关高端DRAM产能满载的局面，全球主要存储供应商普遍出现供不应求状况，并计划大幅上调相关产品报价。
尽管智能手机所采用的UFS（基于NAND Flash）和LPDDR（基于DRAM）并不直接使用HBM技术，但AI加速器和数据中心对HBM及高性能DRAM的超额预订和优先采购行为，间接挤占了先进制程晶圆以及封测资源。当产线优先服务于高附加值的AI订单时，移动设备所需的LPDDR与NAND在生产排程、封装测试环节受到挤压，出货周期延长、成本上升，进而传导至合约价格层面，推动LPDDR5X与UFS等移动端存储产品的报价走高。
