优化tRFC和tFAW可显著提升内存性能。tRFC影响刷新延迟，需根据颗粒型号与容量合理压低；tFAW关系Bank激活并行性，配合tRRD_L调整能增强高负载表现。两者均需逐步测试稳定性，结合电压与散热控制，适用于已稳定高频的进阶超频场景。
手动优化内存次级时序如 tRFC 和 tFAW，是进阶超频中提升内存性能的关键环节。这些参数虽不如主时序（CL、tRCD、tRP）显眼，但对稳定性与带宽效率影响显著。合理压缩它们能降低延迟、提高Bank调度效率，尤其在高容量或高频DDR4/DDR5系统中效果明显。
理解 tRFC：刷新周期开销的核心
tRFC（Refresh Cycle Time）决定内存颗粒完成一次行刷新所需的最短时间。它是所有时序中数值最大的之一，直接影响命令延迟和后台刷新对性能的干扰。
说明： DRAM需要定期刷新以保持数据，tRFC就是每次刷新操作占用的时钟周期数。数值越小，刷新带来的延迟越低，但过小会导致数据丢失。- 参考颗粒规格书（如三星、海力士、美光）获取安全下限值。例如：Samsung D5颗粒tRFC可从默认130-160降至110左右；Hynix M-die支持更低至90~100。
- 根据内存容量调整——容量越大，所需刷新页越多，tRFC必须更高。单根8GB比32GB更容易压低。
- 结合VDDQ电压微调：适当提高0.05V~0.1V有助于稳定极低tRFC，但注意发热控制。
优化 tFAW：提升Bank Group调度效率
tFAW（Four Activate Window Delay）限制单位时间内可激活的不同Bank数量。它关系到内存访问的并行性，尤其影响高并发负载表现。
说明： DDR4规范要求最多4个Bank激活窗口内只能有一次突发激活序列。tFAW确保足够恢复时间，防止信号串扰。
- 标准值通常为30~50（对应tRRD_L/S倍数），高性能Hynix A/M-die可压至16~20。
- 需配合tRRD_L（Short Row to Row Delay）设置，一般tFAW ≥ 4×tRRD_L。若tRRD_L=4，则tFAW不应低于16。
- 压缩tFAW能提升游戏帧率一致性，特别是在高FPS场景下减少卡顿。
协同调优策略与风险控制
单独调一个参数难见效，必须与其他时序联动，并关注供电与温度。
- 优先顺序：先稳主时序 → 调整VDD/VDDQ → 压缩tRC/tRAS → 再动tRFC/tFAW。
- 监控颗粒温度：尤其DDR5小黑板易积热，高温下紧缩tRFC易出错。加装散热马甲或主动风冷更安全。
- 启用XMP后再手动改，避免基础频率不稳导致误判。
- 遇到无法开机，清除CMOS重置，不要强行加压。
