10月23日最新动态，自intel在22nm制程节点首次引入finfet晶体管以来，逻辑芯片工艺正式迈入3d时代。如今，三星也即将在闪存领域迈出革命性一步——率先将3d晶体管技术应用于nand闪存芯片。
FinFET是一种三维结构的晶体管，因其形状类似鱼鳍（Fin）而得名“鳍式场效应晶体管”。相较于传统2D平面晶体管，它在控制漏电流、提升开关速度和降低功耗方面具有显著优势。Intel最早于22nm节点采用该技术，随后台积电与三星在14/16nm节点相继跟进，目前FinFET已成为先进制程的核心基础。
然而，由于存储芯片结构特殊，长期以来仍沿用传统的2D晶体管设计。但在近日举行的SEDEX 2025大会上，三星DS设备部门技术负责人Song Jae-hyuk发表主题演讲时明确指出：“为了满足客户对更高性能与能效的需求，必须在更小的面积内集成更多晶体管，而3D FinFET正是实现这一目标的关键创新技术之一。”
这一表态标志着三星将成为全球首家将3D FinFET技术引入NAND闪存制造的厂商，有望大幅提高存储密度，并带来性能与能效的双重跃升。
据三星介绍，在闪存中应用3D晶体管后，可实现更快的信号传输速度、更低的功耗以及更紧凑的芯片尺寸，为下一代高容量、高性能存储解决方案奠定基础。
不过，目前相关技术仍处于研发与规划阶段，三星尚未公布具体哪一款NAND产品将率先搭载FinFET结构，商业化落地还需等待一段时间。
