从14nm到5nm制程的进步本质在于通过晶体管微缩、结构创新（如FinFET、GAA）和材料升级，实现晶体管密度提升、功耗降低、信号延迟减少及集成度提高，从而系统性优化芯片性能与能效。
CPU制程工艺从14nm到7nm再到5nm，性能提升的本质并不只是晶体管变得更小那么简单。核心在于：更先进的制程让芯片在功耗、速度和集成度上实现系统性优化。
晶体管密度增加，单位面积容纳更多算力
制程数字（如5nm、7nm）大致反映的是晶体管关键结构的尺寸。尺寸缩小后，单个晶体管占用的空间减少，相同面积的硅片上可以集成更多的晶体管。
- 更高的晶体管密度意味着可以设计更复杂的CPU核心、更大的缓存（如L2/L3 Cache），或者集成更多核心。
- 例如，从14nm到5nm，晶体管密度可提升4倍以上，这直接提升了芯片的整体计算能力。
功耗降低，能效比显著改善
先进制程下的晶体管在开关时所需的电压更低，漏电流也更少，这意味着：
- 执行相同任务时消耗的电能更少，发热更低。
- 移动设备续航更长，服务器运行成本更低。
- 在相同功耗预算下，芯片可以运行在更高频率，间接提升性能。
信号延迟减少，运行频率更容易提升
晶体管变小后，电子穿越沟道的距离缩短，开关速度加快。同时，互连导线也更短，信号传输延迟下降。
- 这使得CPU更容易达到更高的主频，从而提升单核性能。
- 虽然实际频率提升受散热和架构限制，但制程为高频运行提供了物理基础。
新工艺常伴随新材料与新结构
制程进步不仅是“微缩”，还包含技术创新。例如：
- 7nm及以下节点引入了FinFET（鳍式场效应晶体管），提升对电流的控制能力。
- 台积电5nm采用优化的FinFET，而3nm进一步尝试GAA（环绕栅极）结构，更好抑制漏电。
- 新型绝缘材料（如High-k介质）和铜互连优化也同步改进，提升整体电气性能。
基本上就这些。制程从14nm到5nm的进步，本质是通过物理微缩、结构创新和材料升级，实现“更强性能、更低功耗、更高集成”的综合跃升。单纯看纳米数会忽略背后复杂的技术演进，真正推动性能提升的是整个半导体工艺体系的协同突破。
