1.盛合晶微“一种具有掩埋式电源轨的集成封装结构的制备方法”专利公布；
2.杰华特“功率器件及其制造方法”专利公布；
3.宁德时代新能源“电极组件的检测方法和检测装置”专利公布；
4.鲁汶仪器“等离子体刻蚀设备、刻蚀机台、聚焦环及其顶升结构”专利公布
1.盛合晶微“一种具有掩埋式电源轨的集成封装结构的制备方法”专利公布
天眼查显示，盛合晶微半导体(江阴)有限公司“一种具有掩埋式电源轨的集成封装结构的制备方法”专利公布，申请公布日为2025年2月14日，申请公布号为CN119446916A。
本发明提供一种具有掩埋式电源轨的集成封装结构的制备方法，通过在第一半导体基底的正面进行氧离子注入，经过高温退火之后氧离子与硅反应形成第一氧化硅层，在进行研磨时第一氧化硅层替代锗硅层作为减薄停止层，而在第一半导体基底的正面生长外延硅并在外延硅上制备STI沟槽和掩埋式电源轨，并在第一半导体基底的背面形成纳米硅通孔与掩埋式电源轨电连接，由于在第一半导体基底的正面生长外延硅的技术要求相比于在第一半导体基底的正面外延锗硅层更简单，在实际生产过程中更加容易控制，再加上无需再使用湿法刻蚀溶液去除锗硅层，从而不会对晶圆产生损伤，大幅度提高了生产良率，进一步地，外延硅对设备的要求相对较低，从而降低了生产成本。
2.杰华特“功率器件及其制造方法”专利公布
天眼查显示，杰华特微电子股份有限公司“功率器件及其制造方法”专利公布，申请公布日为2025年2月14日，申请公布号为CN119451210A。
本公开提供了一种功率器件及其制造方法，该功率器件包括：半导体层，包括沿第二表面朝向第一表面的方向依次邻接的第一掺杂区、第二掺杂区、阱区和第三掺杂区；隔离部，自半导体层的第一表面伸至第二掺杂区中，并与阱区和第三掺杂区邻接；以及栅极导体，位于隔离部中，半导体器件还包括：电阻结构与二极管结构，电阻结构和/或二极管结构的至少部分位于隔离部中，电阻结构用于构成第一电阻，二极管结构用于构成第一二极管，第一电阻的一端与第三掺杂区电连接，第一电阻的另一端与第一二极管的阴极电连接，第一二极管的阳极与阱区电连接。通过在功率器件中设置额外的电阻与二极管，从而调节功率器件中不同区域的电势，进而降低功率器件的导通压降。
3.宁德时代新能源“电极组件的检测方法和检测装置”专利公布
天眼查显示，宁德时代新能源科技股份有限公司“电极组件的检测方法和检测装置”专利公布，申请公布日为2025年2月14日，申请公布号为CN119444649A。
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本申请实施例提供了一种电极组件的检测方法和检测装置，该方法包括：在电极组件的移动过程中，利用TDI探测器对电极组件进行成像以生成目标图像；根据目标图像，确定电极组件的极片的褶皱信息。本申请实施例提供的电极组件的检测方法和检测装置，可以提高电极组件的检测效率。
4.鲁汶仪器“等离子体刻蚀设备、刻蚀机台、聚焦环及其顶升结构”专利公布
天眼查显示，江苏鲁汶仪器股份有限公司“等离子体刻蚀设备、刻蚀机台、聚焦环及其顶升结构”专利公布，申请公布日为2025年2月14日，申请公布号为CN119446875A。
本发明涉及一种等离子体刻蚀设备、刻蚀机台、聚焦环及其顶升结构，该聚焦环包括多个层叠设置的环体，各个所述环体相互独立地设置，位于最上层的所述环体的轴向尺寸大于所述聚焦环所允许的最大顶升高度，本发明提供了一种分体式的聚焦环，在使用过程中，各个环体均可以被顶升，因而通过各个环体将原有聚焦环整体被顶升后下方的大空间分割为若干个小空间，每个小空间仅仅只通过结构间的细小狭缝相连，小空间内等离子体的带电粒子浓度和活性被限制，从而达到预防电弧放电现象，避免产生打火痕迹或者聚焦环碎裂的问题的目的。
