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蓮花仙者
发布时间：2025-01-07 19:01:53
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原创
深圳基本半导体有限公司近日公布一项关于碳化硅基集成sbd和sgt器件及其制备方法的专利（申请公布号：cn119049972a，申请公布日：2024年11月29日）。
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该专利公开了一种新型制备方法，有效解决了现有碳化硅沟槽型MOSFET器件沟槽底部栅氧化层易击穿的难题。其核心在于改进的器件结构和制备工艺，具体步骤包括：在N型碳化硅衬底上生长N型外延层并形成漏极金属层；在N型外延层表面特定区域注入P型和N型杂质，形成相邻的N型掺杂区域和第一P型掺杂区域；通过光刻工艺刻蚀形成沟槽；在沟槽内依次生成第一栅极氧化层、多晶硅层和屏蔽栅，并形成金属连接孔；最后，在沟槽开口处沉积第二栅极氧化层并生长源极金属层。 这项创新技术有望提升碳化硅器件的可靠性和性能。
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