全球首款：SK 海力士展示 12 层堆叠 HBM4 内存

11 月 28 日消息，在美国圣路易斯举行的超级计算大会 2025（sc25）上，sk 海力士于 2025 年 11 月 16 日至 21 日集中亮相，全面展示了其面向人工智能（ai）与高性能计算（hpc）时代的一系列前沿存储解决方案。

此次展会中，SK 海力士聚焦 HBM、DRAM 和企业级固态硬盘（eSSD）三大核心产品线，并特别设置了针对 AI 与 HPC 应用场景的现场演示区域，直观呈现其技术优势。

在展台中心位置，SK 海力士重点推出了包括全球首款 12 层堆叠 HBM4 在内的最新高带宽内存产品。该款 HBM4 于 2025 年 9 月实现业界首发，单颗芯片配备 2,048 个 I/O 通道，相较前代 HBM3 提升一倍，显著增强了数据传输带宽；同时功耗效率提升超过 40%，成为支撑大规模 AI 计算架构的理想选择。此外，SK 海力士还携手英伟达（NVIDIA）联合展出了当前性能最强的商用 HBM 产品——12 层堆叠 HBM3E，该产品将集成于英伟达下一代 GB300 Grace Blackwell GPU 平台。

在 DRAM 展区，公司展示了基于 1c 节点（第六代 10 纳米级制程工艺）打造的 DDR5 服务器内存模组，涵盖 RDIMM 与 MRDIMM 类型。其中重点展示的产品包括容量高达 256 GB 的 3DS DDR5 RDIMM 和 256 GB DDR5 Tall MRDIMM。这些新品具备更高的运行速率和更优的能效表现，可为数据中心及高端服务器系统提供强劲稳定的内存支持。

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在企业级 SSD 领域，SK 海力士展出了多款满足高容量与高性能需求的 eSSD 产品：

• 搭载 176 层 4D NAND 技术的 PS1010 E3.S 与 PE9010 M.2；
• 采用 238 层 NAND 的 PEB110 E1.S；
• 基于 QLC NAND 架构的 PS1012 U.2；
• 以及行业首例配备 321 层 QLC NAND 的 245 TB 超大容量型号 PS1101 E3.L。

这些固态硬盘不仅实现了存储密度的突破，还通过支持 PCIe 4.0 与 PCIe 5.0 高速接口，达成极高的数据读写吞吐能力。同时，SK 海力士也展示了适用于多样化服务器部署环境的完整存储产品阵容，例如广泛用于入门级服务器和 PC 设备的 SATA 3 接口 SE5110 SSD。

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