M31与台积电发布N6e™平台超低功耗存储器编译器加速AIoT创新

全球硅智财（ip）领导厂商円星科技（m31 technology corporation，简称m31）今日在台积公司北美开放创新平台®（oip）生态系论坛上宣布，继先前于台积电n12e™制程成功验证低功耗ip方案后，再度将技术扩展至更先进的n6e™平台，推出全新超低漏电（ull）、极低漏电（ell）与低电压操作（low-vdd）存储器编译器。与此同时，m31荣膺2025年台积公司oip年度合作伙伴特殊制程ip奖，连续第八年获此殊荣，彰显其在台积电oip生态系统中的卓越贡献与长期紧密合作，再次确立m31于硅智财领域的领先地位。

M31获颁“台积电2025OIP矽智财伙伴奖”--M31总经理-张原熏(左)

此次推出的基于台积电N6e™先进制程的存储器编译器系列，专为AI边缘运算与物联网（IoT）设备量身打造，聚焦极致低功耗设计，提供采用LL、ULL与ELL SRAM bitcell的多样化定制选项，助力智慧家居、穿戴式装置等应用实现性能与能耗的最佳化平衡。其中，N6e平台ULL存储器编译器具备高密度与高性能特性，支持SRAM及OnePort Register File，并整合冗余机制（Redundancy）、电源闸控（Power Gating）、扫描测试（Scan）、内建自我测试（BIST）MUX以及宽电压范围Dual-rail架构，可实现动态电压频率调节（DVFS）。该产品采用HighSigma设计方法，确保在极端工艺条件下仍稳定运作。ELL版本则进一步优化能效表现，在深度睡眠模式（Deep Sleep Mode）下可减少高达50%的功耗，满足对芯片面积与功耗高度敏感的设计需求，同时保有速度与配置弹性。此外，Low-VDD存储器编译器可在低至0.5V的电压下运行，显著降低动态与静态功耗。透过ULL、ELL与Low-VDD三大解决方案组合，M31为N6e™平台提供全面且弹性的IP支持。

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M31总经理张原熏表示：“我们与台积公司的长期战略合作，是推动技术创新的核心动力。从N12e低功耗方案到如今N6e平台的ULL、ELL与Low-VDD存储器编译器，M31持续交付领先业界的硅智财解决方案，加速AIoT与边缘运算芯片的开发进程。展望未来，我们将持续深化与台积公司及OIP生态伙伴的合作，共同推进AI驱动技术的发展与落地。”

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