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英特尔确认 ASML 第二台 High NA EUV 光刻机完成安装

霞舞
发布: 2024-10-09 19:55:15
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本站 10 月 9 日消息,asml 新任 ceo 傅恪礼(christophe fouquet)出席 spie 大会并发表演讲,重点介绍了 high na euv 光刻机。他提到,high na euv 光刻机不太可能像最初的 euv 光刻机那样出现延迟。傅恪礼还谈到了组装扫描仪子组件的新方法,即直接在客户工厂安装,无需经历拆卸及再组装的过程。这将大大节省 asml 与客户之间的时间和成本,有助于加快 high na euv 光刻机的发的和交付。紧随其后上台的是英特尔院士兼光刻总监 mark phillips,他表示英特尔已经在波特兰工厂完成了两台 high na 光刻系统的安装,而且他还公布了一些资料,表明 high na euv 相对于标准 euv 光刻机所带来的改进可能要比之前想象中还要多。

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▲ 首台 High NA EUV 照片,图源:英特尔他表示,由于已经有了经验,第二套 High NA EUV 光刻系统的安装速度比第一个还要更快。据称,High NA 所需的所有基础设施已经到位并开始运行。用于 High NA 的光刻掩模检测工作已经按计划开始进行。因此,英特尔无需做太多辅助支持工作即可将其投入生产。
Mark 还被问到了关于 CAR(化学放大抗蚀剂)与金属氧化物抗蚀剂的问题,他表示 CAR 目前还够用,但可能在未来某个时候需要金属氧化物光刻胶。英特尔目标插入点是 Intel 14A 工艺(本站注:预计 2026~2027 年量产),这可能比预期的要更快。

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